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■ Engineering Data
Forward Current vs. Collector
Dissipation Temperature Ratin g
Forward Current vs. Forward
Volta g e Characteristics (Typical)
Li g ht Current vs. Forward Current
Characteristics (Typical)
120
100
80
P tot
P C
100
Ta=75°C
50 ° C
?
25°C
0°C
25°C
700
600
500
400
Ta=25 ° C
V CE =2 V
60
40
20
I F
10
300
200
100
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
5
10
15
20
Am b ient temperat u re Ta ( ° C)
Li g ht Current vs. Collector ? Emitter
Volta g e Characteristics (Typical)
For w ard v oltage V F ( V )
Relative Li g ht Current vs. Ambient
Temperature Characteristics (Typical)
For w ard c u rrent I F (mA)
Dark Current vs. Ambient Tempera
ture Characteristics (Typical)
600
500
Ta=25 ° C
I F =15 mA
120
100
I F =4 mA
V CE =2 V
10-6
V CE =20 V
10-7
400
80
300
200
100
10 mA
7 mA
4 mA
60
40
20
10-8
10-9
2 mA
0
0 2 4 6 8 10
Collector ? Emitter v oltage V CE ( V )
0
-25 0 25 50 75
Am b ient temperat u re Ta ( ° C)
10-10
0
25 50 75 100
Am b ient temperat u re Ta ( ° C)
Response Time vs. Load Resis-
tance Characteristics (Typical)
Sensin g Distance Characteristics
(Typical)
Sensin g Position Characteristics
(Typical)
1,000
100
Ta=25 ° C
I C =100 μ A
V CE =2 V
tr
tf
100
90
80
70
Ta=25 ° C
I F =4 mA
V CE =2 V
Al u min u m-deposited
s u rface
d
100
80
d
W hite
Black
L
60
50
40
60
40
I F =4 mA
V CE =2 V
d=1 mm
10
td
30
ts
20
10
20
1
0.1
1 10 100
Load resistance R L (k Ω )
1,000
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Distance d (mm)
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
Card mo v ing distance L (mm)
3
Sensin g Position Characteristics
(Typical)
100
Response Time Measurement
Circuit
Inp u t
Li g ht Current Measurement Setup
Dia g ram
d
W hite
Black
0
t
80
L
O u tp u t
0
t d
90%
10%
t s
t
Al u min u m-deposited s u rface
60
I F =4 mA
t r
t f
40
V CE =2 V
d=1 mm
Inp u t
I L
V CC
Glass
d
20
R L
O u tp u t
0
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
Card mo v ing distance L (mm)
230
Photomicrosensor (Reflective)
EE-SY199
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